Bezüglich der Anwendung und des Prinzips der Sputter-Target-Technologie haben einige Kunden RSM konsultiert. Für dieses Problem, das ihnen am meisten am Herzen liegt, teilen technische Experten nun spezifisches Fachwissen mit.
Sputtertarget-Anwendung:
Aufladende Teilchen (z. B. Argonionen) bombardieren eine feste Oberfläche und führen dazu, dass Oberflächenpartikel wie Atome, Moleküle oder Bündel von der Oberfläche des Objekts entweichen, ein Phänomen, das als „Sputtern“ bezeichnet wird.Bei der Magnetron-Sputterbeschichtung werden die durch Argonionisierung erzeugten positiven Ionen üblicherweise zum Beschuss des Feststoffs (Target) verwendet, und die gesputterten neutralen Atome werden auf dem Substrat (Werkstück) abgeschieden, um eine Filmschicht zu bilden.Die Magnetron-Sputterbeschichtung weist zwei Eigenschaften auf: „niedrige Temperatur“ und „schnell“.
Prinzip des Magnetronsputterns:
Zwischen dem gesputterten Targetpol (Kathode) und der Anode werden ein orthogonales Magnetfeld und ein elektrisches Feld hinzugefügt, und das erforderliche Inertgas (normalerweise Ar-Gas) wird in die Hochvakuumkammer eingefüllt.Der Permanentmagnet erzeugt ein Magnetfeld von 250–350 Gauss auf der Oberfläche des Zielmaterials und bildet ein orthogonales elektromagnetisches Feld mit dem elektrischen Hochspannungsfeld.
Unter der Wirkung eines elektrischen Feldes wird Ar-Gas in positive Ionen und Elektronen ionisiert, und auf dem Target herrscht ein gewisser negativer Hochdruck, so dass die vom Targetpol emittierten Elektronen durch das Magnetfeld und die Ionisierungswahrscheinlichkeit des Werkstücks beeinflusst werden Gas nimmt zu.In der Nähe der Kathode bildet sich ein hochdichtes Plasma, und Ar-Ionen beschleunigen unter der Wirkung der Lorentzkraft auf die Zieloberfläche und bombardieren die Zieloberfläche mit hoher Geschwindigkeit, sodass die gesputterten Atome auf dem Ziel mit hoher Geschwindigkeit von der Zieloberfläche entweichen kinetische Energie und fliegen zum Substrat, um nach dem Prinzip der Impulsumwandlung einen Film zu bilden.
Das Magnetronsputtern wird im Allgemeinen in zwei Arten unterteilt: DC-Sputtern und HF-Sputtern.Das Prinzip von DC-Sputtergeräten ist einfach und die Geschwindigkeit beim Sputtern von Metall ist hoch.Der Einsatz des HF-Sputterns ist umfangreicher und umfasst neben dem Sputtern leitfähiger Materialien auch das Sputtern nichtleitender Materialien, aber auch das reaktive Sputtern zur Herstellung von Oxiden, Nitriden und Karbiden sowie anderen Verbundmaterialien.Wenn die HF-Frequenz zunimmt, kommt es zum Mikrowellen-Plasma-Sputtern.Gegenwärtig wird häufig das Mikrowellen-Plasma-Sputtern vom Typ Elektronenzyklotronresonanz (ECR) verwendet.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 01.08.2022