Viele Benutzer haben sicherlich schon von dem Produkt Sputtertargets gehört, aber das Prinzip des Sputtertargets dürfte relativ unbekannt sein.Nun, der Herausgeber vonReichhaltiges Spezialmaterial (RSM) teilt die Magnetron-Sputter-Prinzipien des Sputtertargets.
Zwischen der gesputterten Targetelektrode (Kathode) und der Anode werden ein orthogonales Magnetfeld und ein elektrisches Feld hinzugefügt, das erforderliche Inertgas (im Allgemeinen Ar-Gas) wird in die Hochvakuumkammer gefüllt, der Permanentmagnet bildet ein Magnetfeld von 250 ~ 350 Gauss Die Oberfläche der Zieldaten, und das orthogonale elektromagnetische Feld wird mit dem elektrischen Hochspannungsfeld gebildet.
Unter der Wirkung eines elektrischen Feldes wird Ar-Gas in positive Ionen und Elektronen ionisiert.Dem Target wird eine bestimmte negative Hochspannung hinzugefügt.Die Wirkung des Magnetfelds auf die vom Zielpol emittierten Elektronen und die Ionisierungswahrscheinlichkeit des Arbeitsgases nehmen zu, wodurch in der Nähe der Kathode ein Plasma hoher Dichte entsteht.Unter der Wirkung der Lorentzkraft beschleunigen Ar-Ionen die Zieloberfläche und bombardieren die Zieloberfläche mit sehr hoher Geschwindigkeit. Die gesputterten Atome auf dem Ziel folgen dem Impulsumwandlungsprinzip und fliegen mit hoher kinetischer Energie von der Zieloberfläche zum Substrat zum Ablegen von Filmen.
Das Magnetronsputtern wird im Allgemeinen in zwei Arten unterteilt: Tributary-Sputtern und RF-Sputtern.Das Prinzip der Tributary-Sputtering-Ausrüstung ist einfach und ihre Geschwindigkeit ist auch beim Sputtern von Metall hoch.RF-Sputtern ist weit verbreitet.Neben dem Sputtern leitfähiger Materialien können auch nichtleitende Materialien gesputtert werden.Gleichzeitig führt es auch reaktives Sputtern durch, um Materialien aus Oxiden, Nitriden, Karbiden und anderen Verbindungen herzustellen.Wenn die HF-Frequenz erhöht wird, kommt es zum Mikrowellen-Plasma-Sputtern.Heutzutage wird häufig das Mikrowellenplasmasputtern mit Elektronenzyklotronresonanz (ECR) verwendet.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 31. Mai 2022