Was ist ein Polysilizium-Target?

Polysilizium ist ein wichtiges Sputtertargetmaterial.Durch die Verwendung des Magnetron-Sputterverfahrens zur Herstellung von SiO2 und anderen dünnen Filmen kann dem Matrixmaterial eine bessere optische, dielektrische und Korrosionsbeständigkeit verliehen werden, was in der Touchscreen-, optischen und anderen Industrie weit verbreitet ist.

Der Prozess des Gießens langer Kristalle besteht darin, die gerichtete Erstarrung von flüssigem Silizium von unten nach oben schrittweise zu realisieren, indem die Temperatur der Heizung im heißen Feld des Barrenofens und die Wärmeableitung des Wärmeisolationsmaterials genau gesteuert werden Die Erstarrungsgeschwindigkeit der langen Kristalle beträgt 0,8 bis 1,2 cm/h.Gleichzeitig kann im Prozess der gerichteten Erstarrung der Segregationseffekt von Metallelementen in Siliziummaterialien realisiert, die meisten Metallelemente gereinigt und eine gleichmäßige polykristalline Siliziumkornstruktur gebildet werden.

Auch beim Gießen von Polysilizium muss im Produktionsprozess eine gezielte Dotierung erfolgen, um die Konzentration an Akzeptorverunreinigungen in der Siliziumschmelze zu verändern.Der Hauptdotierstoff für gegossenes Polysilizium vom p-Typ in der Industrie ist eine Silizium-Bor-Vorlegierung, in der der Borgehalt etwa 0,025 % beträgt.Die Dotierungsmenge wird durch den Zielwiderstand des Siliziumwafers bestimmt.Der optimale spezifische Widerstand beträgt 0,02 bis 0,05 Ω·cm, und die entsprechende Borkonzentration beträgt etwa 2 × 1014 cm-3. Der Segregationskoeffizient von Bor in Silizium beträgt jedoch 0,8, was einen gewissen Segregationseffekt im gerichteten Erstarrungsprozess zeigt Das heißt, das Element Bor ist in einem Gradienten in vertikaler Richtung des Barrens verteilt und der spezifische Widerstand nimmt von der Unterseite zur Oberseite des Barrens allmählich ab.